開(kāi)關(guān)電源中的MOS管功率變換電路
1、 MOS管的運(yùn)作原理：目前應(yīng)用*廣泛的絕緣柵 場(chǎng)效應(yīng)管 是 MOSFET （ MOS管 ），是利用半導(dǎo)體表面的電聲效應(yīng)進(jìn)行運(yùn)作的。也稱(chēng)為表面場(chǎng)效應(yīng)器件。由于它的柵極處于不導(dǎo)電狀態(tài)，所以輸入電阻可以大大提高，*高可達(dá)105歐姆， MOS管 是利用柵源電壓的大小，來(lái)改變半導(dǎo)體表面感生電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。
2、 常見(jiàn)的原理圖：
3、運(yùn)作原理：
R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2組成緩沖器，和開(kāi)關(guān) MOS管 并接，使開(kāi)關(guān)管電壓應(yīng)力減少，EMI減少，不發(fā)生二次擊穿。在開(kāi)關(guān)管Q1關(guān)斷時(shí)，變壓器的原邊線圈易產(chǎn)生尖峰電壓和尖峰電流，這些元件組合一起，能很好地吸收尖峰電壓和電流。從R3測(cè)得的電流峰值信號(hào)參與當(dāng)前運(yùn)作周波的占空比控制，因此是當(dāng)前運(yùn)作周波的電流限制。當(dāng)R5上的電壓達(dá)到1V時(shí)，UC3842停止運(yùn)作，開(kāi)關(guān)管Q1立即關(guān)斷 。
R1和Q1中的結(jié)電容CGS、CGD一起組成RC網(wǎng)絡(luò)，電容的充放電直接影響著開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)速度。R1過(guò)小，易引起振蕩，電磁干擾也會(huì)很大；R1過(guò)大，會(huì)降低開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)速度。Z1通常將 MOS管 的GS電壓限制在18V以下，從而保護(hù)了 MOS管 。
Q1的柵極受控電壓為鋸形波，當(dāng)其占空比越大時(shí)，Q1導(dǎo)通時(shí)間越長(zhǎng)，變壓器所儲(chǔ)存的能量也就越多；當(dāng)Q1截止時(shí)，變壓器通過(guò)D1、D2、R5、R4、C3釋放能量，同時(shí)也達(dá)到了磁場(chǎng)復(fù)位的目的，為變壓器的下一次存儲(chǔ)、傳遞能量做好了準(zhǔn)備。IC根據(jù)輸出電壓和電流時(shí)刻調(diào)整著⑥腳鋸形波占空比的大小，從而穩(wěn)定了整機(jī)的輸出電流和電壓。
C4和R6為尖峰電壓吸收回路。
4、推挽式功率變換電路：
Q1和Q2將輪流導(dǎo)通。
尊敬的客戶：
您好，我司是一支技術(shù)力量雄厚的高素質(zhì)的開(kāi)發(fā)群體，為廣大用戶提供高品質(zhì)產(chǎn)業(yè)、完整的解決方案和上等的技術(shù)服務(wù)公司。主要產(chǎn)業(yè)有 三端穩(wěn)壓芯片，DC-DC
升壓芯片，電壓檢測(cè)芯片，MOS管等。 本企業(yè)堅(jiān)持以誠(chéng)信立業(yè)、以品質(zhì)守業(yè)、以進(jìn)取興業(yè)的宗旨，以更堅(jiān)定的步伐不斷攀登新的高峰，為民族自動(dòng)化行業(yè)作出貢獻(xiàn)，歡迎新老顧客放心選購(gòu)自己心儀的產(chǎn)業(yè)。人們將竭誠(chéng)為您服務(wù)！
