mos管是金屬（metal）-氧化物（oxid）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
主要參數(shù)
1.開(kāi)啟電壓VT
·開(kāi)啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；
·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3~6V;
·通過(guò)工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2~3V.
2. 直流輸入電阻RGS
·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
·這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω。
3. 漏源擊穿電壓BVDS
·在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下 ,在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
·ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：
?。?）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
?。?）漏源極間的穿通擊穿
·有些MOS管中，其溝道長(zhǎng)度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長(zhǎng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID
4. 柵源擊穿電壓BVGS
·在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VGS,稱為柵源擊穿電壓BVGS.
5. 低頻跨導(dǎo)gm
·在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ,漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)
·gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力
·是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)
·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)
6. 導(dǎo)通電阻RON
·導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響 ,是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)
·在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
·由于在數(shù)字電路中 ,MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似
·對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)
7. 極間電容
·三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS
·CGS和CGD約為1~3pF
·CDS約在0.1~1pF之間
8. 低頻噪聲系數(shù)NF
·噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的
·由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
·噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來(lái)表示，它的單位為分貝（dB）
·這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
·低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)
·場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小
無(wú)論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三極管做開(kāi)關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開(kāi)關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。
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